近日台积电（TSMC）举办了2025年北美技术论坛，公布了下一代A14制程工艺，旨在通过提供更快的计算和更高的能效来推动人工智能（AI）转型。台积电称，A14制程工艺计划2028年投产，目前的开发进展顺利，良品率比预期的要高。按照过去的说法，虽然台积电在A16上选择不采用High-NA EUV光刻技术，但是到了A14会选择加入。
据Bits and Chips报道，台积电已经决定在A14制程工艺上不引入High-NA EUV光刻技术，仍然坚持使用原有的EUV光刻设备。台积电相信，即便没有High-NA EUV光刻设备，A14制程工艺依然可以实现性能、密度、良品率等目标。台积电将通过限制这一代到下一代的掩模层数量，为客户提供更经济实惠的解决方案，同时又不会牺牲关键部分的复杂性。
根据配置的不同，High-NA EUV光刻设备的价格约在3.85亿美元起步，这将大大增加晶圆厂的成本。芯片制造商更倾向于重复利用现有的工具，所以台积电也尽可能地避免使用High-NA EUV光刻设备，除非原有的EUV光刻系统无法继续改进生产能力。与此同时，台积电也在相关光刻材料上下功夫，以提高光刻工艺和良品率。
最近有IBM的研究人员表示，单次High-NA EUV的成本大概是普通EUV的2.5倍。直到目前为止，英特尔仍然是唯一一家致力于采用High-NA EUV光刻技术进行大批量生产的主要代工厂。